Modelos neurais para dispositivos ativos semicondutores de GaAs nas faixas de microondas/óptica

Autores

  • Paulo Henrique da Fonseca Silva Centro Federal de Educação Tecnológica da Paraíba (CEFET-PB)
  • Márcio Galdino Passos Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)
  • Humberto César Chaves Fernandes Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)

DOI:

https://doi.org/10.18265/1517-03062015v1n13p66-75

Palavras-chave:

redes neurais sem realimentação, dispositivos ativos, modelos neurais

Resumo

Neste artigo descrevem-se os conceitos básicos para a elaboração de modelos de dispositivos ativos semicondutores de arseneto de gálio (GaAs), usados em sistemas de comunicação em operação nas faixas de frequência de microondas/óptica, através de redes neurais artificiais sem realimentação (FNN's - feedforward neural networks). [...].

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Publicado

2006-09-03

Como Citar

SILVA, P. H. da F.; PASSOS, M. G.; FERNANDES, H. C. C. Modelos neurais para dispositivos ativos semicondutores de GaAs nas faixas de microondas/óptica. Revista Principia, [S. l.], v. 13, p. 66–75, 2006. DOI: 10.18265/1517-03062015v1n13p66-75. Disponível em: https://periodicos.ifpb.edu.br/index.php/principia/article/view/298. Acesso em: 22 jan. 2025.

Edição

v. 13 (2006)

Seção

Engenharias IV - Engenharia Elétrica - Telecomunicações e Processamento de Sinais

Licença

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