Modelos neurais para dispositivos ativos semicondutores de GaAs nas faixas de microondas/óptica

Paulo Henrique da Fonseca Silva

Centro Federal de Educação Tecnológica da Paraíba (CEFET-PB) Brasil

Márcio Galdino Passos

Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN) Brasil

Humberto César Chaves Fernandes

Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN) Brasil

Resumo

Neste artigo descrevem-se os conceitos básicos para a elaboração de modelos de dispositivos ativos semicondutores de arseneto de gálio (GaAs), usados em sistemas de comunicação em operação nas faixas de frequência de microondas/óptica, através de redes neurais artificiais sem realimentação (FNN's - feedforward neural networks). [...].

Palavras-chave


redes neurais sem realimentação; dispositivos ativos; modelos neurais


Texto completo:

DOI: http://dx.doi.org/10.18265/1517-03062015v1n13p66-75

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