Modelos neurais para dispositivos ativos semicondutores de GaAs nas faixas de microondas/óptica

Authors

  • Paulo Henrique da Fonseca Silva Centro Federal de Educação Tecnológica da Paraíba (CEFET-PB)
  • Márcio Galdino Passos Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)
  • Humberto César Chaves Fernandes Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN)

DOI:

https://doi.org/10.18265/1517-03062015v1n13p66-75

Keywords:

redes neurais sem realimentação, dispositivos ativos, modelos neurais

Abstract

Neste artigo descrevem-se os conceitos básicos para a elaboração de modelos de dispositivos ativos semicondutores de arseneto de gálio (GaAs), usados em sistemas de comunicação em operação nas faixas de frequência de microondas/óptica, através de redes neurais artificiais sem realimentação (FNN's - feedforward neural networks). [...].

Downloads

Published

2006-09-03

Issue

Vol. 13 (2006)

Section

Engenharias IV - Engenharia Elétrica - Telecomunicações e Processamento de Sinais

License

Esta revista, seguindo as recomendações do movimento de Acesso Aberto, proporciona seu conteúdo em Full Open Access. Assim os autores conservam todos seus direitos permitindo que a Revista Principia possa publicar seus artigos e disponibilizar pra toda a comunidade.

A Revista Principia adota a licença Creative Commons 4.0 do tipo atribuição (CC-BY). Esta licença permite que outros distribuam, remixem, adaptem e criem a partir do seu trabalho, inclusive para fins comerciais, desde que lhe atribuam o devido crédito pela criação original.

Os autores estão autorizados a enviar a versão do artigo publicado nesta revista em repositório institucionais, com reconhecimento de autoria e publicação inicial na Revista Principia.

Demais informações sobre a Política de Direitos Autorais da Revista Principia encontram-se neste link. 

How to Cite

SILVA, P. H. DA F.; PASSOS, M. G.; FERNANDES, H. C. C. Modelos neurais para dispositivos ativos semicondutores de GaAs nas faixas de microondas/óptica. Revista Principia, v. 13, p. 66–75, 3 Sept.2006.